CGH40010F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14.5 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CGH40006S
Wolfspeed / Cree · 封装：QFN-6
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 QFN-6 封装。CGH40006P
Wolfspeed / Cree · 封装：440109
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440109 封装。SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SC-70-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、晶体管极性 N-Channel、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、噪声系数（NF） 0.4 dB，采用 SC-70-4 封装。CGHV40030F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 0.96～1.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440166 封装。CGHV40100F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 500 MHz to 2.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 11 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440193 封装。CGHV1F006S
Wolfspeed / Cree · 封装：DFN-12
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 DFN-12 封装。BF510,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、栅源击穿电压（Vgs） 20 V，采用 SOT-23 封装。CGHV60075D5
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 Die 封装。TGF2957
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.2 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。TGF2023-2-10
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、产品 RF JFET、型号别名 1099951，采用 Die 封装。TGF2023-2-05
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、产品 RF JFET、型号别名 1099947，采用 Die 封装。TGF2023-2-02
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、产品 RF JFET、型号别名 1099622，采用 Die 封装。TGF2953
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18.2 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。NPT2022
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 21 dB、晶体管极性 N-Channel。T2G6003028-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、湿敏性 是、型号别名 1100021。T2G6001528-Q3
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、湿敏性 是、型号别名 1100001。T2G6000528-Q3
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 650 mA。T2G6000528-Q3 28V
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、湿敏性 是、型号别名 1099997。CGHV59350F
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 5900 MHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 11 dB。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。