NXP Semiconductors
BF510,215
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、栅源击穿电压（Vgs） 20 V，采用 SOT-23 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- SOT-23
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 晶体管类型
- JFET
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 30 mA
- 最大漏栅电压
- 20 V
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 配置
- Single
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 3 mm
展开更多参数（7 项）
- 产品
- RF JFET
- 类型
- JFET
- 宽度
- 1.4 mm
- 正向跨导（最小值）
- 0.0001 S
- 栅源截止电压
- 0.8 V
- 型号别名
- 933505270215
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。