Wolfspeed / Cree
CGHV60075D5
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 Die 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- Die
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Gel Pack
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 17 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 150 V
- 连续漏极电流（Id）
- 10 A
- 输出功率
- 75 W
- 耗散功率（Pd）
- 41.6 W
- 高度
- 100 um
- 长度
- 3000 um
- 工作频率
- 6 GHz
展开更多参数（5 项）
- 产品
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
- 宽度
- 820 um
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 280 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 10 V, + 2 V
- 型号别名
- CGHV60075D5-GP4
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。