CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CG2H80060D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。CGHV14800F
Wolfspeed / Cree · 封装：440117
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440117 封装。QPD1000
Qorvo · 封装：QFN-8
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 30 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-8 封装。CGH27030S
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel。CGHV40200PP
Wolfspeed / Cree · 封装：440199
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.7～1.9 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16.1 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 440199 封装。CGHV59070F
Wolfspeed / Cree · 封装：440224
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 4.4～5.9 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440224 封装。QPD1008L
Qorvo · 封装：NI-360
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI-360 封装。QPD1008
Qorvo · 封装：NI-360
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI-360 封装。QPD1004SR
Qorvo · 封装：DFN-8
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 30～1200 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20.8 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V，采用 DFN-8 封装。QPD1015L
Qorvo · 封装：NI-360
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI-360 封装。TGF2979-SM
Qorvo · 封装：QFN-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 DC to 12 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 11 dB，采用 QFN-20 封装。TGF2978-SM
Qorvo · 封装：QFN-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 DC to 12 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 11 dB，采用 QFN-20 封装。QPD1015
Qorvo · 封装：NI-360
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI-360 封装。QPD0030
Qorvo · 封装：QFN-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 21.7 dB、输出功率 45 W、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 45 W，采用 QFN-20 封装。QPD1009
Qorvo · 封装：QFN-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 24 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-16 封装。TGF2977-SM
Qorvo · 封装：QFN-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 DC to 12 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 13 dB，采用 QFN-16 封装。TGF2929-HM
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.4 dB、晶体管极性 N-Channel。CGHV27015S
Wolfspeed / Cree · 封装：DFN-12
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 21.2 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 DFN-12 封装。CGHV27030S
Wolfspeed / Cree · 封装：DFN-12
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 21 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 DFN-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。