Qorvo
QPD0030
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 21.7 dB、输出功率 45 W、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 45 W，采用 QFN-20 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- QFN-20
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 21.7 dB
- 输出功率
- 45 W
- 最小工作温度
- - 40 C
- 耗散功率（Pd）
- 45 W
- 应用
- Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
- 配置
- Single
- 工作频率
- DC to 4 GHz
- 型号别名
- 1132528
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。