Qorvo
QPD1000
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 30 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- QFN-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 19 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 28 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 817 mA
- 输出功率
- 24 W
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 28.8 W
- 配置
- Single
- 工作频率
- 30 MHz to 1.215 GHz
展开更多参数（5 项）
- 工作温度范围
- - 40 C to + 85 C
- 开发套件
- QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
- 湿敏性
- 是
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.8 V
- 型号别名
- 1131140
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。