JAN2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：UB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 UB-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录2N2857/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-4 封装。MRF4427R2
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2N2857/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-4 封装。2731-100M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。SRF4427
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。NESG2101M05-EVPW24-A
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN。2729-125
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。NESG3032M14-EVNF24
Renesas Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium。2731-20
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MS3022
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF5812LF-CP
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V，采用 SO-8 封装。2729-170
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH1090-550S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MRF421
MACOM · 封装：211-11
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 211-11 封装。PH9038
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMBTH11
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 650 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-23 封装。MMBTH10RG
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23 封装。MCH4020-TL-H
onsemi · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 16 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60 at 50 mA, 5 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V，采用 SOT-343-4 封装。MCH6001-TL-E
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 16 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60 at 50 mA, 5 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。