Advanced Semiconductor, Inc.
MRF5812LF-CP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V，采用 SO-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Advanced Semiconductor, Inc.
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRF5812LF
- 封装
- SO-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 15 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2.5 V
- 连续集电极电流
- 200 mA
- 工作频率
- 5 GHz
- 最大直流集电极电流
- 200 mA
- 耗散功率（Pd）
- 1.25 W
- 单件重量
- 0.002610 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。