ChipSourceHub 美芯科技

onsemi

MCH6001-TL-E

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 16 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 60 at 50 mA, 5 V、最大集电极-发射极电压(VCEO) 8 V,采用 SOT-363-6 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
晶体管
产品系列
MCH6001
封装
SOT-363-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

14 项参数
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
工作频率
16 GHz
最小直流电流增益(hfe)
60 at 50 mA, 5 V
最大集电极-发射极电压(VCEO)
8 V
发射极-基极电压(VEBO)
2 V
连续集电极电流
150 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
组装国家或地区
日本
原产国家或地区
中国
展开更多参数(2 项)
耗散功率(Pd)
600 mW
单件重量
0.000265 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MCH6001-TL-E 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技