MRF3866
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 SOIC-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2601ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 SOIC-8 封装。BFG35,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 4000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 18 V，采用 SOT-223 封装。MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 SC-62-3 封装。BFR 182 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-23 封装。BFR 106 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。BFR93AE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 93A BFR BFR93AE6327XT E6327 SP000011066、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BLV57
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-161A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 SOT-161A 封装。BFP 420 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 25 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-343 封装。TPV8100B
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：398-03
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 398-03 封装。BFR106E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 106 BFR BFR16E6327XT E6327 SP000011044、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BLX15
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 28 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15。BLV25
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：316-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 108 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 316-01 封装。BLV31
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-122A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 224 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 SOT-122A 封装。BLW98
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-122A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 SOT-122A 封装。BLW86
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 SOT-123 封装。MRF1000MB
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：332A-03
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1090 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 332A-03 封装。2N6439
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：316-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 316-01 封装。TP9383
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M177
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 108 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 M177 封装。BFU550XRR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。