Toshiba
MT3S111P(TE12L,F)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 SC-62-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MT3S111P
- 封装
- SC-62-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- SiGe
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 200
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 6 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 0.6 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 8 GHz
- 最大直流集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.001764 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。