Advanced Semiconductor, Inc.
2N6439
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 316-01 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Advanced Semiconductor, Inc.
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- 316-01
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Power
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 10
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 33 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 4 V
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 工作频率
- 400 MHz
- 类型
- RF Bipolar Power
- 增益带宽积（fT）
- 400 MHz
- 耗散功率（Pd）
- 146 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。