BFR193E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 193 BFR BFR193E6327XT E6327 SP000011056、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFS 483 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-363 封装。BFR360FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 360F BFR BFR36FH6327XT H6327 SP000750428、单件重量 0.000050 oz，采用 TSFP-3 封装。BFS20W,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-323-3 封装。BFP 193 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-143-4 封装。BFU530AR
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-23-3 封装。BFP196WNH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-343-4 封装。BFU590GX
NXP Semiconductors · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-223-4 封装。BFU590QX
NXP Semiconductors · 封装：SOT89-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT89-3 封装。MT3S111(TE85L,F)
Toshiba · 封装：TO-236-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 11.5 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 TO-236-3 封装。BFU730F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT343F-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 55 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最小直流电流增益（hfe） 205、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.8 V，采用 SOT343F-4 封装。BFU520WX
NXP Semiconductors · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-323-3 封装。BFR92PE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 92P BFR BFR92PE6327XT E6327 SP000011062、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。MMBT5179
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 25，采用 SOT-23 封装。MMBTH81
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 600 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-23 封装。SD1446
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M113
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 50 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M113 封装。BFR 193 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-23 封装。BFP842ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 60 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 3.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.1 V，采用 SOT-343-4 封装。BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 405 BFP BFP45H6327XT H6327 SP000745254、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。MAX2602ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。