NXP Semiconductors
BFU730F,115
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 55 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最小直流电流增益（hfe） 205、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.8 V，采用 SOT343F-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT343F-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- SiGe
- 最小直流电流增益（hfe）
- 205
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 2.8 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 1 V
- 连续集电极电流
- 5 mA
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 10 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 555
- 高度
- 0.75 mm
- 长度
- 2.2 mm
- 工作频率
- 55 GHz
- 类型
- RF Silicon Germanium
展开更多参数（4 项）
- 宽度
- 1.35 mm
- 耗散功率（Pd）
- 197 mW
- 型号别名
- 934064614115
- 单件重量
- 0.000235 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。