NXP Semiconductors
BFU590GX
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-223-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-223-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Wideband
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 16 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2 V
- 连续集电极电流
- 80 mA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 24 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 130
- 工作频率
- 900 MHz
展开更多参数（7 项）
- 工作温度范围
- - 40 C to + 150 C
- 类型
- Wideband RF Transistor
- 增益带宽积（fT）
- 8.5 GHz
- 最大直流集电极电流
- 300 mA
- 耗散功率（Pd）
- 2000 mW
- 型号别名
- 934067975115
- 单件重量
- 0.003447 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。