UCC21521CDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4609YWM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-28 封装。UCC20520DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。ADUM4121ARIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电压 4.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。NCV5183DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。ADUM4120CRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 11.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。UCC5350MCD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC5310MCD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX17606AZT+
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 4.5～36 V、输出电压 5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOT-23-6 封装。1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 WSON-6 封装。UCC27712QDQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PG-DSO-8 封装。MIC4609YWM
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。ISO5451QDWQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。NCD5701BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27212DPRT
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WSON-10 封装。1EDI2010ASXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.65 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 20 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 DSO-36 封装。L6498LD
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 600 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。MIC4606-1YTS-T5
Microchip Technology · 封装：TSSOP-16
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。UCC5320ECD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。