Infineon Technologies
1EDI2010ASXUMA1
主要参数包括电源电压（最小值） 4.65 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 20 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 DSO-36 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- DSO-36
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Inverting
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 20 mA
- 上升时间
- 120 ns
- 下降时间
- 150 ns
- 电源电压范围
- 4.65～18 V
- 传播延迟（最大值）
- 255 ns
- 耗散功率（Pd）
- 600 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
展开更多参数（5 项）
- 技术
- Si
- 最大关断延迟时间
- 255 ns
- 最大导通延迟时间
- 255 ns
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 1EDI2010AS SP001299836
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。