ON Semiconductor
NCD5701BDR2G
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- NCD5701
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 1 A
- 上升时间
- 18 ns
- 下降时间
- 19 ns
- 电源电压范围
- -15～30 V
- 工作电源电流
- 10 uA
- 耗散功率（Pd）
- 700 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 输出电压
- 800 mV, 14.1 V
展开更多参数（4 项）
- 技术
- Si
- 关断功能
- Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 75 ns
- 最大导通延迟时间
- 75 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。