MCP14A1202-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0901-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 MSOP-8 封装。1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies · 封装：PG-SOT-23-6-2
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PG-SOT-23-6-2 封装。NCP81075DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC21520AQDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。L6498DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 480 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。IM818MCCXKMA1
Infineon Technologies · 封装：DIP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 13.5 V、电源电压（最大值） 18.5 V、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 DIP-24 封装。UCC21520AQDWQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。UCC5390ECDWVR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCP81075MNTXG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 DFN-8 封装。NCP51530ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 17 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC21220D
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.2～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOP-16 封装。1EDC60H12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。NCP81080DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 800 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。NCV8408BDTRKG
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 20 us、下降时间 20 us，采用 DPAK-3 封装。UCC21220DR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 40 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOP-16 封装。NCP81391MNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V, 20 V、输出电流 25 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-31 封装。TDA21470AUMA1
Infineon Technologies · 封装：PQFN
主要参数包括电源电压（最小值） 4.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0.25～5.5 V、输出电流 70 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN 封装。UCC5320SCDWVR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。