ON Semiconductor
NCP81080DR2G
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 800 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 800 mA
- 上升时间
- 19 ns
- 下降时间
- 17 ns
- 电源电压范围
- 5.5～20 V
- 传播延迟（最大值）
- 30 ns, 44 ns
- 工作电源电流
- 5.1 mA
- 工作温度范围
- -40～140 °C
- 技术
- Si
展开更多参数（2 项）
- 逻辑类型
- TTL
- 关断功能
- No Shutdown
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。