Infineon Technologies
1EDN8511BXUSA1
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PG-SOT-23-6-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- 1EDN
- 封装
- PG-SOT-23-6-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Low Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 8 A
- 上升时间
- 6.5 ns
- 下降时间
- 4.5 ns
- 电源电压范围
- 4.5～20 V
- 传播延迟（最大值）
- 25 ns
- 工作电源电流
- 400 uA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 技术
- Si
展开更多参数（6 项）
- 逻辑类型
- CMOS, TTL
- 关断功能
- No Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 25 ns
- 最大导通延迟时间
- 25 ns
- 商品名称
- EiceDRIVER
- 型号别名
- 1EDN8511B SP001891284
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。