UC2901MDREPG4
Texas Instruments · 封装:SOIC-14
主要参数包括输出电流 0 A、类型 Isolated Feedback Generator、基准电压 1.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 1.58 mm,采用 SOIC-14 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-14
主要参数包括输出电流 0 A、类型 Isolated Feedback Generator、基准电压 1.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 1.58 mm,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
主要参数包括输出电流 0 A、类型 Isolated Feedback Generator、基准电压 1.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 MX,采用 SOIC-14 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、技术 Si、隔离电压 3750 Vrms、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、技术 Si、隔离电压 3750 Vrms、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。onsemi
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、输出电压 0~32 V、最大连续输出电流 7 A、输出电流 7 A,采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、输出电流 6.5 A、技术 Si、类型 High-Current,采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 20 V、电源电压(最小值) 3.3 V、输出电流 6.5 A、技术 Si、类型 High-Current,采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 22 V、类型 High-Current、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOIC-16 封装。onsemi
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电压 6.5~30 V、输出电流 4.5 A, 9 A、技术 碳化硅(SiC),采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电压 6.5~30 V、输出电流 4.5 A, 9 A、技术 碳化硅(SiC),采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、输出电压 18.5~30 V、输出电流 4.5 A, 9 A、隔离电压 5 kVrms,采用 SOIC-16 封装。STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。