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NCD57081BDR2G
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 3.3 V、技术 Si、隔离电压 3750 Vrms、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- Galvanically Isolated Gate Drivers
- 产品系列
- NCD57081
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
11 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 隔离电压
- 3750 Vrms
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.315 W
- 上升时间
- 13 ns
- 下降时间
- 13 ns
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 输出数
- 1 Output
- 关断功能
- No Shutdown
- 电源电压范围
- 3.3～20 V
- 技术
- Si
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。