onsemi
NCD57101DWR2G
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、输出电压 0～32 V、最大连续输出电流 7 A、输出电流 7 A，采用 SOIC-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- Galvanically Isolated Gate Drivers
- 产品系列
- NCD57100
- 封装
- SOIC-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
22 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 隔离电压
- 5 kVrms
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.4 W
- 传播延迟（最大值）
- 90 ns
- 上升时间
- 15 ns
- 下降时间
- 15 ns
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 输入电压（最大值）
- 5 V
- 输入电压（最小值）
- 3.3 V
- 最大连续输出电流
- 7 A
展开更多参数（10 项）
- 最大关断延迟时间
- 90 ns
- 最大导通延迟时间
- 90 ns
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 7 A
- 输出电压
- 0～32 V
- 产品
- Gate Drivers
- 关断功能
- Shutdown
- 电源电压范围
- 3.3～5 V
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 类型
- IGBT Gate Driver
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。