S27KS0642GABHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS66WVH8M8FALL-200B1LI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVS8M8FBLL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVS8M8FBLL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVS8M8FALL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVS8M8FALL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR8M8FBLL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR8M8FBLL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR8M8FALL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVO8M8FBLL-166BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVR4M8BLL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR4M8BLL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR4M8ALL-104NLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVR4M8ALL-104NLI
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、原产国家或地区 中国台湾，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVQ16M4FALL-200BLI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM、原产国家或地区 中国台湾，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVQ16M4DBLL-200BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、原产国家或地区 中国台湾，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVQ16M4DALL-200BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM、原产国家或地区 中国台湾，采用 TFBGA-24 封装。IS66WVO8M8FBLL-166BLI
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。