ISSI
IS66WVH8M8FALL-200B1LI-TR
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ISSI
- 产品类别
- DRAM
- 封装
- TFBGA-24
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
10 项参数- 类型
- HyperRAM
- 存储容量
- 64 Mbit
- 数据总线宽度
- 8 位
- 最大时钟频率
- 200 MHz
- 存储组织结构
- 8 M x 8
- 访问时间
- 35 ns
- 电源电压范围
- 1.7～2 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 电源电流（最大值）
- 20 mA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。