ISSI
IS66WVQ16M4FALL-200BLI
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM、原产国家或地区 中国台湾,采用 TFBGA-24 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- ISSI
- 产品类别
- DRAM
- 封装
- TFBGA-24
- 安装方式
- 表面贴装(SMD/SMT)
技术参数
6 项参数- 类型
- SDRAM
- 存储容量
- 64 Mbit
- 最大时钟频率
- 200 MHz
- 电源电压范围
- 1.65~1.95 V
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。
