3N244
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 TO-72-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录3N245TX
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、隔离电压 1000 Vrms、原产国家或地区 MX。3N262
Optek / TT Electronics · 封装：TO-72-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 1000 Vrms、电流传输比（最小值） 10 %、电流传输比（最大值） 50 %、正向电流（If） 40 mA，采用 TO-72-4 封装。H11G1M
onsemi · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。H11G1SM
onsemi · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。H11G1SR2M
onsemi · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。H11G1SR2VM
onsemi · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。H11G1TVM
onsemi · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。H11G2M
onsemi · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。H11G2SM
onsemi · 封装：SMD-DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。H11G2SR2M
onsemi · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。H11G2SR2VM
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V。H11G2TVM
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 80 V。H11G2VM
onsemi · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 封装。ACNT-H511-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 7500 Vrms、电流传输比（最小值） 31 %、电流传输比（最大值） 80 %、正向电流（If） 20 mA，采用 SOIC-8 封装。DPC1014S-TR
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 160 %、电流传输比（最大值） 320 %、正向电流（If） 10 mA，采用 LSOP-4 封装。DPC1014S-TR-V
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、原产国家或地区 中国、电流传输比（最大值） 320 %、电流传输比（最小值） 160 %、下降时间 18 us，采用 LSOP-4 封装。DPC1017S-TR
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。DPC1017S-TR-V
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 80 %、电流传输比（最大值） 160 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。DPC1018S-TR
Diodes Incorporated · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、电流传输比（最小值） 130 %、电流传输比（最大值） 260 %、正向电流（If） 5 mA，采用 LSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。