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H11G2SR2VM
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4170 Vrms、电流传输比（最小值） 1000 %、正向电流（If） 60 mA、正向电压（Vf） 1.5 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- H11G2M
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
16 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 隔离电压
- 4170 Vrms
- 输出类型
- Photodarlington
- 电流传输比（最小值）
- 1000 %
- 正向电流（If）
- 60 mA
- 正向电压（Vf）
- 1.5 V
- 最大集电极－发射极电压
- 80 V
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 290 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 组装国家或地区
- TH
展开更多参数（4 项）
- 晶圆制造国家或地区
- 韩国
- 原产国家或地区
- TH
- 电流传输比
- 1000 %
- 单件重量
- 0.028572 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。