Diodes Incorporated
DPC1014S-TR-V
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、原产国家或地区 中国、电流传输比（最大值） 320 %、电流传输比（最小值） 160 %、下降时间 18 us，采用 LSOP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- LSOP-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
16 项参数- 原产国家或地区
- 中国
- 电流传输比（最大值）
- 320 %
- 电流传输比（最小值）
- 160 %
- 下降时间
- 18 us
- 正向电流（If）
- 10 mA
- 隔离电压
- 5000 Vrms
- 最大集电极电流
- 30 mA
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 200 mV
- 最大集电极－发射极电压
- 80 V
- 工作温度范围
- -55～110 °C
- 通道数
- 1 个通道
- 输出类型
- Phototransistor
展开更多参数（4 项）
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 上升时间
- 18 us
- 正向电压（Vf）
- 1.25 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。