2N3054A
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPQ3799
Central Semiconductor · 封装：TO-116
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116 封装。2N5629 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-3-2 封装。2N5058
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。2N5189
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。2N6489
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。2N699
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、型号别名 2N699 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。2N697A
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 TO-39-3 封装。2N6491
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-220-3 封装。2N6386
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-220-3 封装。BCY79-IX
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。2N4032
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-39-3 封装。BCY59-IX
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18 封装。2N6476
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 130 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-220-3 封装。2N4030
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 TO-39-3 封装。2N3110
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-39-3 封装。2N6099
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-220-3 封装。BC109C
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC109C PBFREE，采用 TO-18 封装。2N3302
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 220 mV，采用 TO-18-3 封装。2N930B
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。