Central Semiconductor
2N6386
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N6386
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 40 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 40 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 2 V
- 最大直流集电极电流
- 8 A
- 增益带宽积（fT）
- 20 MHz
- 耗散功率（Pd）
- 65000 mW
- 型号别名
- 2N6386 PBFREE
- 单件重量
- 0.081130 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。