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Central Semiconductor

2N699

该型号为晶体管,主要参数包括最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 120 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、型号别名 2N699 PBFREE,采用 TO-39-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
2N657
封装
TO-39-3
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

4 项参数
最大集电极-发射极电压(VCEO)
80 V
集电极-基极电压(VCBO)
120 V
发射极-基极电压(VEBO)
7 V
型号别名
2N699 PBFREE

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

2N699 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技