BUL416T
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 9 A、最大工作温度 + 150 C、最大直流电流增益（hFE） 32，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS305NX,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4.6 A，采用 SOT-89-3 封装。ZXTP2029FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 130 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 135 mV，采用 SOT-23-3 封装。CMPT6517 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。ZTX758
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。CM5160
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。CMKT2207 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V, 1.6 V，采用 SOT-363 封装。BUJ302AD,118
WeEn Semiconductors · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 19 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 DPAK-3 封装。ZXTD09N50DE6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 SOT-23-6 封装。ZXT13P40DE6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 - 175 mV，采用 SOT-23-6 封装。MMBT3904FZ-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN0606-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 DFN0606-3 封装。CZT955 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-223 封装。FZT491ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。ZX5T955GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-223-4 封装。SBC856BWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-3 封装。2N5333
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。ZXTP19100CFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-23F-3 封装。NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。EMX26T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV。2N6384
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-3-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。