STMicroelectronics
BUL416T
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 9 A、最大工作温度 + 150 C、最大直流电流增益（hFE） 32，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BUL416T
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 800 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 9 V
- 最大直流集电极电流
- 9 A
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 32
- 高度
- 15.25 mm
- 长度
- 10 mm
- 宽度
- 4.4 mm
- 连续集电极电流
- 6 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 18
- 耗散功率（Pd）
- 110 W
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.081130 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。