Central Semiconductor
CMKT2207 TR
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V, 1.6 V，采用 SOT-363 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- CMKT22
- 封装
- SOT-363
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 40 V, 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 75 V, 60 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V, 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1 V, 1.6 V
- 增益带宽积（fT）
- 300 MHz, 200 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 300
- 连续集电极电流
- 600 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 75
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- CMKT2207 PBFREE TR
- 单件重量
- 0.000212 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。