芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

VT6X12T2R

ROHM Semiconductor · 封装：VMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 VMT-6 封装。

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PMBT3904RAZ

Nexperia · 封装：DFN-1412-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 DFN-1412-6 封装。

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VT6T12T2R

ROHM Semiconductor · 封装：VMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 VMT-6 封装。

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PMBT3904QAZ

Nexperia · 封装：DFN-1010D-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 DFN-1010D-3 封装。

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FMMT560QTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-23-3 封装。

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PMBT2222AMBYL

Nexperia · 封装：DFN-1006-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 DFN-1006-3 封装。

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MJD31CQ-13

Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-252-3 封装。

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UMZ1NFHATR

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V, 7 V，采用 SOT-563-6 封装。

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BC817K-25HVL

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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US6X8TR

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363T-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 SOT-363T-6 封装。

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UMT18NTR

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 100 mV，采用 SOT-363-6 封装。

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2SCR553RTL

ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TSMT-3 封装。

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EMX51T2R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 SOT-563-6 封装。

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BCW66HR

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 450 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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2SAR533PFRAT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-89-3 封装。

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BCP53-10HX

Nexperia · 封装：SOT-223-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-223-3 封装。

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2SCR572D3TL1

ROHM Semiconductor · 封装：TO-252

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-252 封装。

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2SCR554PFRAT100

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 SOT-89-3 封装。

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BCW68HR

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 350 mV，采用 SOT-23-3 封装。

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ZXTN2010ZQTA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 190 V、发射极－基极电压（VEBO） 8.1 V。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。