Diodes Incorporated
ZXTN2010ZQTA
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 190 V、发射极－基极电压（VEBO） 8.1 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- ZXTN2010
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 80 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 190 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 8.1 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 230 mV
- 最大直流集电极电流
- 20 A
- 增益带宽积（fT）
- 130 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 300
- 连续集电极电流
- 5 A
展开更多参数（2 项）
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 认证等级
- AEC-Q101
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。