ROHM Semiconductor
UMT18NTR
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 100 mV，采用 SOT-363-6 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-363-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 12 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 15 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 100 mV
- 最大直流集电极电流
- 0.5 A
- 增益带宽积（fT）
- 260 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 680
- 高度
- 0.9 mm
- 长度
- 2 mm
展开更多参数（5 项）
- 宽度
- 1.25 mm
- 连续集电极电流
- - 500 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 270
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 型号别名
- UMT18N
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。