ZTX851
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZTX689B
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。ZTX851STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。ZTX688B
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 TO-92-3 封装。ZTX849
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 TO-92-3 封装。KSC5027OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-220-3 封装。ZTX958
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 TO-92-3 封装。MJB44H11G
ON Semiconductor · 封装：TO-263-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-263-3 封装。ZXT12P40DXTA
Diodes Incorporated · 封装：MSOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 MSOP-8 封装。ZXTP749FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。ZXTN649FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZXT953KTC
Diodes Incorporated · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 335 mV，采用 DPAK-3 封装。FJI5603DTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：I2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.6 kV、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 I2PAK-3 封装。ZDT1053TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SM-8 封装。ZHB6792TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SM-8 封装。TIP36CG
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-247-3 封装。BU931T
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大直流集电极电流 20 A，采用 TO-220-3 封装。BUL89
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。NJW3281G
ON Semiconductor · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。2N5885G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-204-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。