Diodes Incorporated
ZHB6792TA
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SM-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- ZHB67
- 封装
- SM-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Quad
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 70 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 70 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 0.5 V
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz, 150 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 500
- 高度
- 1.6 mm
- 长度
- 6.7 mm
展开更多参数（4 项）
- 宽度
- 3.7 mm
- 连续集电极电流
- 1 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 500 mA, 2 V at NPN, 150 at 1 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP
- 耗散功率（Pd）
- 2000 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。