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STMicroelectronics

BUL89

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 850 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-220-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
BUL89
封装
TO-220-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
400 V
集电极-基极电压(VCBO)
850 V
发射极-基极电压(VEBO)
9 V
集电极-发射极饱和电压
1 V
最大直流集电极电流
12 A
工作温度范围
-65~150 °C
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
宽度
4.6 mm (Max)
连续集电极电流
12 A
展开更多参数(2 项)
耗散功率(Pd)
110 W
单件重量
0.211644 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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