CMPT918 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS5320D,125
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 130 mV，采用 SOT-457-6 封装。PHD13003C,126
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92-3 封装。PHE13003C,412
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92-3 封装。2SA2124-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-89-3 封装。2SD2654TLW
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管。BC51PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC56-10PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。55GN01MA-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 70 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 MCPH-3 封装。PBSS2515VPN,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SSmini-6 封装。BC807K-40VL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SAR522EBTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-416FL-3 封装。2SAR522UBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V、增益带宽积（fT） 350 MHz，采用 UMT-3 封装。CMXT2222A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-26
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-26 封装。CMPT2484 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT2484 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。TTC0002(Q)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。2SB1732TL
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 85 mV，采用 TUMT-3 封装。PBSS5350D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TSOP-6 封装。PHPT60606PYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 LFPAK56-5 封装。ZXTN25020BFHTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。