ChipSourceHub 美芯科技

Toshiba

TTC0002(Q)

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 160 V、集电极-基极电压(VCBO) 160 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 2 V。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
晶体管
产品系列
TTC0002
安装方式
通孔安装
包装方式
散装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
160 V
集电极-基极电压(VCBO)
160 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
集电极-发射极饱和电压
2 V
最大直流集电极电流
18 A
增益带宽积(fT)
30 MHz
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
160
连续集电极电流
18 A
耗散功率(Pd)
180 W
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.343921 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TTC0002(Q) 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技