ON Semiconductor
55GN01MA-TL-E
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 70 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 MCPH-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 55GN01MA
- 封装
- MCPH-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 10 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3 V
- 连续集电极电流
- 70 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 200
- 耗散功率（Pd）
- 400 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。