NSS1C201MZ4T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSS1C200MZ4T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。MJD340T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 750 mA，采用 TO-252-3 封装。DXT2014P5-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 360 mV，采用 PowerDI-5 封装。FZT593TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT458TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT558TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。BC56-16PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 DFN-2020-3 封装。FZT493TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT549TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.75 V，采用 SOT-223-4 封装。2SC6096-TD-H
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6.5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 SOT-89-3 封装。MJD45H11T4G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。PCP1208-TD-H
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 220 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 115 mV，采用 SOT-89-3 封装。DXT790AP5-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 170 mV，采用 PowerDI-5 封装。PBSS5540Z,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-223-3 封装。BD437TG
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-225-3 封装。BCV61B,235
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-143B-4 封装。2SC4027S-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.13 V，采用 TO-252-3 封装。ZXTN25100DFHTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 2.5 A，采用 SOT-23-3 封装。2SC5707-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV, 110 mV，采用 TO-251-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。