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ON Semiconductor

BD437TG

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 45 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.8 V,采用 TO-225-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
BD437
封装
TO-225-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
45 V
集电极-基极电压(VCBO)
45 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
集电极-发射极饱和电压
0.8 V
最大直流集电极电流
4 A
增益带宽积(fT)
3 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
展开更多参数(4 项)
连续集电极电流
4 A
最小直流电流增益(hfe)
30
耗散功率(Pd)
36 W
单件重量
0.068784 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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