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Diodes Incorporated

DXT2014P5-13

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 140 V、集电极-基极电压(VCBO) - 180 V、发射极-基极电压(VEBO) - 7 V、集电极-发射极饱和电压 - 360 mV,采用 PowerDI-5 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
DXT201
封装
PowerDI-5
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
Dual
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 140 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 180 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 7 V
集电极-发射极饱和电压
- 360 mV
最大直流集电极电流
- 10 A
增益带宽积(fT)
120 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
连续集电极电流
- 4 A
最小直流电流增益(hfe)
5 at - 10 A, - 5 V
耗散功率(Pd)
740 mW
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.003386 oz

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DXT2014P5-13 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技