MASW-010350-TR3000
MACOM · 封装：PQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 7 V、电源电压（最小值） - 500 mV、工作频率 0.01～4 GHz、开关数 Single、开关配置 SP4T、插入损耗 0.8 dB，采用 PQFN-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC546MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 8 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 0.2～2.7 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT，采用 MSOP-8 封装。HMC1055LP2CE
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-EP-8
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.2 V、工作频率 DC to 4 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPST，采用 DFN-EP-8 封装。MASWSS0093TR-3000
MACOM · 封装：PQFN-12
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.85 dB、关断隔离度（典型值） 26 dB，采用 PQFN-12 封装。MASWSS0201TR
MACOM · 封装：PQFN-12
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 2.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.5 dB、关断隔离度（典型值） 43 dB，采用 PQFN-12 封装。NJG1809ME7-TE1
NJR
该型号为集成电路。MASW-007588-TR3000
MACOM
该型号为集成电路。SW-214-PIN
MACOM
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 0～3000 MHz、开关数 Single、开关配置 SPST、插入损耗 1.3 dB、关断隔离度（典型值） 25 dB、最大工作温度 + 85 C。ADRF5024BCCZN
Analog Devices · 封装：LGA-12
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作频率 100 MHz to 44 GHz、技术 硅、开关数 Single、开关配置 SPDT，采用 LGA-12 封装。HMC536LP2ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.6 dB、关断隔离度（典型值） 27 dB，采用 DFN-6 封装。HMC641A
Analog Devices / Hittite
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） - 4.5 V、电源电压（最小值） - 5.5 V、工作频率 18 GHz、技术 GaAs、开关数 Quad、开关配置 SP4T。MA4AGFCP910
MACOM · 封装：FlipChip
该型号为集成电路，主要参数包括最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 55 C、耗散功率（Pd） 50 mW，采用 FlipChip 封装。HMC536MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MS8G
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 0.7 dB、关断隔离度（典型值） 32 dB，采用 MS8G 封装。MA4AGSW3
MACOM · 封装：Die
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 50 MHz to 70 GHz、开关数 Single、开关配置 SP3T、插入损耗 0.8 dB、关断隔离度（典型值） 31 dB、最大工作温度 + 125 C，采用 Die 封装。HMC-C058
Analog Devices / Hittite · 封装：C-14-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 DC to 18 GHz、技术 GaAs、开关数 Dual、开关配置 SPDT、插入损耗 1.6 dB、关断隔离度（典型值） 65 dB，采用 C-14-6 封装。BGS13SN8E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-8
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 13SN8 BGS E6327 SP001265130，采用 TSNP-8 封装。MA4SW210B-1
MACOM · 封装：HMIC Die
该型号为集成电路，主要参数包括工作频率 2～18 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 1.2 dB、关断隔离度（典型值） 40 dB、最大工作温度 + 125 C，采用 HMIC Die 封装。F2950NEGK8
IDT · 封装：DFN-6
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 100 MHz to 8 GHz、开关数 Single、开关配置 SPDT、插入损耗 0.73 dB，采用 DFN-6 封装。HMC245AQS16E
Analog Devices · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、工作频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、开关数 Triple、开关配置 SP3T、插入损耗 1.1 dB，采用 QSOP-16 封装。HMC245AQS16ETR
Analog Devices
该型号为集成电路。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。