QPX0001D
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADMV1530ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-18
主要参数包括射频频率 5～30 GHz、本振频率 5～30 GHz、中频频率 0 Hz to 10 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 10 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LGA-18 封装。ADMV1550ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-18
主要参数包括射频频率 15～65 GHz、本振频率 15～50 GHz、中频频率 0 Hz to 20 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13 dB、噪声系数（NF） 7 dB, 10 dB，采用 LGA-18 封装。ADMV1555ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-20
主要参数包括射频频率 18～55 GHz、本振频率 18～55 GHz、中频频率 0 Hz to 20 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 LGA-20 封装。HMC1056LP4BE
Analog Devices · 封装：SMT-20
主要参数包括射频频率 8～12 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SMT-20 封装。HMC1063LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括射频频率 24～28 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。HMC260A-SX
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 10～26 GHz、本振频率 10～26 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 10 dB，采用 LCC-12 封装。HMC264LC3B
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 QFN-12 封装。HMC264LC3BTR
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 QFN-12 封装。HMC264LM3
Analog Devices · 封装：SMT-6
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 SMT-6 封装。HMC264LM3TR
Analog Devices · 封装：SMT-6
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 20～30 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB，采用 SMT-6 封装。HMC329A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括射频频率 22～38 GHz、本振频率 22～38 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 14.5 dB、噪声系数（NF） 14 dB，采用 Die 封装。HMC329ALC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 24～32 GHz、本振频率 24～32 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。HMC329ALC3BTR
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 24～32 GHz、本振频率 24～32 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。HMC329ALC3BTR-R5
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括射频频率 24～32 GHz、本振频率 24～32 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。HMC338LC3B
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 24～34 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 18 dB，采用 QFN-12 封装。HMC338LC3BTR
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 24～34 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 18 dB，采用 QFN-12 封装。HMC520ALC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 8 dB、噪声系数（NF） 9.5 dB，采用 LGA-24 封装。HMC520ALC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、组装国家或地区 美国、晶圆制造国家或地区 FR，采用 LGA-24 封装。HMC520ALC4TR-R5
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括射频频率 6～10 GHz、本振频率 6～10 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs、原产国家或地区 美国，采用 LGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。